僅襯底與氣體源外購，完全達到外延自主開發(fā)與生產；

具備InGaAsP與AllnGaAs雙材料外延技術；

具備掩埋型波導外延技術。

全息光柵曝光技術；

電子束相位光柵技術；

100nm納米級線寬刻蝕技術。

多年外延經驗積累，保證多次外延產品良率；

異質對接外延技術；

光器件集成技術；

高效電注入材料實現(xiàn)；

功能性光波導材料實現(xiàn)。

多年晶圓工藝細節(jié)積累；

制程參數(shù)統(tǒng)計管控。

引進國外全自動芯片測試機，芯片級全測把控；

常溫、高溫、低溫篩選工溫級產品（-40~95°C），以測試把控取代設計保證；

光功率、溫度敏感參數(shù)、光譜、背光、發(fā)散角等重要特性參數(shù)測試與分析能力；

傳纖靈敏度測試系統(tǒng)，提早預判客戶端測試效果。

自主CoC封裝設計，驗證芯片級高頻設計；

全溫眼圖與帶寬測試系統(tǒng)，對出貨產品嚴格把控；

RIN 測試系統(tǒng)，穩(wěn)定產品噪聲干擾。

芯片級可靠性驗證，逐片考核，精確保證每一片晶圓的出貨質量；

氣密與非氣密老化測試、高溫老化測試、雙85測試、低溫儲存、溫循測試、ESD、推拉力測試。